О выставке

Участникам

Посетителям

Пресс-центр

Программа

electron@mvk.ru

+7 (812) 401-69-55
← К списку новостей

GS Nanotech представит на форуме «Электроника России» модули памяти DDR4 SO-DIMM и GS DDR4 U-DIMM с максимальной локализацией

20 ноября 2025

Характеристики: 35 баллов; 260 пин (SO-DIMM)/288 пин (U-DIMM); тип памяти DDR4; тактовая частота 3200 МГц; суммарный объём 8/16/32 Гбайт; конфигурация микросхем памяти 1024M/2048Mx64 бит; соответствие стандарту JEDEC JESD-79-4. Модули выполнены на печатной плате 6 класса точности, произведённой в России.  

 

Ознакомиться с продукцией и пообщаться с представителями GS Nanotech можно в павильоне №2 Зал №11, стенд E111

 

20 ноября 2025

Новости

Больше новостей